کاهش مصرف انرژی در ادوات اسپینترونیک

تاریخ : ۳۱ تیر, ۱۳۹۵

تعداد بازدید : ۶۵۱

0 امتیاز از 0 رای
نسخه چاپی
موضوعات :

یک گروه تحقیقاتی موفق به ارائه روشی برای کنترل خواص مغناطیسی ادوات اسپینترونیک شده است. این کار موجب تسهیل توسعه حافظه‌ها می‌شود. این روش موجب کاهش مصرف انرژی در ادوات اسپینترونیک می‌شود.

یک تیم تحقیقاتی از مرکز بین المللی نانومعماری مواد ژاپن با همکاری محققانی از دانشگاه توکیو موفق به ارائه فناوری جدیدی شدند که با استفاده از ان می‌توان مغناطیسی شدن را در دمای پایین در ادوات اسپینترونیک کنترل کرد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان "In Situ Tuning of Magnetization and Magnetoresistance in Fe3O4 Thin Film Achieved with All-Solid-State Redox Device" در نشریه ACS Nano منتشر شده است.
در این دستگاه جدید، یک الکترولیت جامد با مواد مغناطیسی ترکیب شده و در نهایت امکان وارد و خارج کردن یون‌ها به/از مواد مغناطیسی فراهم می‌شود. این کار با استفاده از اعمال ولتاژ انجام می‌شود. از انجایی که این دستگاه ساختاری ساده دارد می‌توان آن را با ادوات دیگر ترکیب کرد. بنابراین این امکان وجود دارد که این دستگاه را با ادوات مختلف نظیر حافظه‌های با دانسیته بالا ترکیب کرد و در نهایت محصولاتی با کارایی با و مصرف انرژی کم ارائه کرد.
حافظه‌های با ظرفیت و دانسیته بالا معمولا مقدار زیادی از اطلاعات را در خود ذخیره می‌کنند، بنابراین این ادوات می‌توانند اهمیت زیادی در دنیای امروز که اطلاعات به مرز انفجار رسیده داشته باشند.
در ادوات اسپینترونیک هم از بار و هم از اسپین الکترون برای ذخیره‌سازی اطلاعات استفاده می‌شود. این فناوری به شدت مورد توجه محققان در بخش ادوات حافظه قرار گرفته است. اما تاکنون ترکیب اسپینترونیک با ادوات دیگر با دشواری همراه بوده است.
برای حل این مشکل محققان از الکترولیت‌های جامد حاوی یون لیتیم استفاده کردند. با وارد یا خارج شدن این یون‌ها به داخل ساختار مواد مغناطیسی Fe3O4، دانیسته بار حمل شده و همچنین ساختار الکترونیکی مواد مغناطیسی تغییر می‌کند. این گروه تحقیقاتی موفق شدند با این روش خواص مغناطیسی نظیر مقاومت مغناطیسی و مغناطیسی شدن را تغییر دهند.
نتایج این پروژه نشان داد که می‌توان میزان مغناطیسی شدن را در دمای پایین در ادوات اسپینترونیک کنترل کرد. با این کار امکان ادغام آن با ادوات مختلف فراهم می‌شود. این نتایج برای توسعه ادوات حافظه با دانسیته بالا مناسب است.

منبع : http://www.nanowerk.com/nanotechnology-news/newsid=43787.php

نظر شما
نظرسنجی

کتاب‌های‌ معرفی‌ شده در سایت را چگونه ارزیابی‌ می‌کنید؟