ساخت مموریستور با استفاده از روش چاپی

تاریخ : ۲۹ بهمن, ۱۳۹۴

تعداد بازدید : ۸۲۹

0 امتیاز از 0 رای
نسخه چاپی
موضوعات :

محققان با استفاده از یک روش چاپ نوین موفق به ساخت مموریستورهای نانوسیمی شدند که در مقایسه با روش‌های کنونی بسیار مقرون به‌صرفه است. از این حافظه‌ها می‌توان برای ساخت ابزارهای الکترونیکی پوشیدنی نیز استفاده کرد.

همگام با گسترش سریع فناوری اطلاعات مدرن، حافظه‌های برپایه بار همچون DRAM و حافظه فلش، برای برآورده ساختن روند کنونی ابزارهای کوچک مقیاس، باید به مقدار زیادی ابعاد آنها کاهش یابد. برای تطبیق با قانون موور در چند دهه آینده ، دسترسی به یک ابزار حافظه با دانسیته بالا، سرعت بالاتر و مصرف انرژی کمتر مطلوب است. در میان کاندیداهای نسل بعدی ابزارهای حافظه، حافظه مقاومتی غیرفرّار شطرنجی ( مموریستور)، به دلیل غیرفرار بودن، سرعت دسترسی سریع‌تر، دانسیته بسیار بالا و فرایندهای ساخت ساده‌تر، یکی از جذاب‌ترین راه‌حل‌ها است.
مموریستورهای متداول به طور معمول با استفاده از روش‌های نوری، حکاکی و لیتوگرافی الکترونی متداول ساخته می‌شوند. با این حال، برای تطبیق با قانون موور، باید ثابت شود که با توجه به محدودیت‌های روش‌های لیتوگرافی، مونتاژ مموریستورهای تشکیل شده از نانوسیم‌های یک بعدی (1D)، منجر به دستیابی به ابعاد سل موردنظر می‌شود و به طور کامل می‌توان از مزیت‌های آرایه حافظه با دانسیته بالا بهره‌برداری کرد.
وو‌‌‌لی ، استاد دانشکده علوم مواد و مهندسی دانشگاه POSTECH در کره و تیم تحقیقاتی زیر نظر او یک فناوری چاپ سریع برای ساخت آرایه مموریستور با دانسیته بالا و مقیاس‌پذیر تشکیل شده از نانوسیم‌های فلزی شطرنجی ابداع و گسترش دادند. نتایج این کار تحقیقاتی در مجله Advanced Materials چاپ شده است.
این گروه تحقیقاتی از یک روش درحال شکل‌گیری و نوظهور (چاپ نانوسیم الکتروهیدرودینامیک( چاپ e-NW)) استفاده کردند که به طور مستقیم آرایه نانوسیم بسیار منظم را در مقیاس زیاد برای ساخت مموریستورهای میکرویی چاپ می‌کند. نانوسیم‌های رسانا مسی شطرنجی به یک لایه نانومتری CuxO اتصال می‌یابد. این ابزار حافظه مقاومتی با ساختار فلز-اکسید-فلز، یک عملکرد الکتریکی بسیار عالی با رفتار سوویچینگ مقاومتی تجدیدپذیر از خود نشان می‌دهد.
این روش ساخت ساده و سریع، نیاز به روش‌های خلا متداول را برطرف می‌کند و به طور قابل ملاحظه‌ای هزینه تولید صنعتی و همچنین زمان تولید را کاهش می‌دهد و راه را برای کوچک‌سازی مدارهای الکترونیکی در آینده هموار می‌سازد. این گروه تحقیقاتی همچنین موفق به چاپ آرایه مموریستور با شکل‌های مختلف همچون خطوط موازی با شیب‌های قابل تنظیم، توری‌ها و غیره شدند که نوید بخش حافظه‌های بسط‌یافتنی برای استفاده در صنعت پوشاک به عنوان پارچه‌های هوشمند و ابزارهای الکترونیکی قابل پوشش هستند.
وولی می‌گوید:« این فناوری به مقدار قابل توجهی، زمان تولید و هزینه‌ها را در مقایسه با روش‌های تولید کنونی حافظه نانوسیم شطرنجی کاهش می‌دهد، ضمن اینکه پروسه ساخت بسیار ساده‌تر است. به‌ویژه، این فناوری به‌عنوان یک فناوری منبع برای تشخیص پارچه هوشمند، کامپیوترهای قابل پوشش هوشمند و ابزارهای الکترونیکی منسوجاتی استفاده خواهد شد.»

منبع : http://www.nanowerk.com/nanotechnology-news/newsid=42477.php

نظر شما
نظرسنجی

کتاب‌های‌ معرفی‌ شده در سایت را چگونه ارزیابی‌ می‌کنید؟