استفاده از نانوورق دی‌سولفید مولیبدن در ساخت ممریستور

تاریخ : ۲۸ بهمن, ۱۳۹۴

تعداد بازدید : ۹۴۵

0 امتیاز از 0 رای
نسخه چاپی
موضوعات :

محققان با متورق کردن دی‌سولفید مولیبدن موفق به ایجاد ساختار لایه‌ای نانومقیاس شده‌اند و ساختار بلوری آن را به‌گونه‌ای تغییر دادند که بتوان از آن در ساخت ممریستور استفاده کرد.

محققان دانشگاه میشیگان با استفاده از دی‌سولفید مولیبدن اقدام به ساخت یک ممریستور ایده‌آل کردند. یان هانگ هو از مدیران این پروژه می‌گوید: « فرق میان ممریستورها با مقاومت‌های الکتریکی رایج در این است که در مقاومت‌های رایج، میزان مقاومت ثابت است در حالی که در ممریستورها این مقاومت بستگی به ولتاژ دارد. ممریستور به‌گونه‌ای طراحی می‌شود که میزان مقاومت آن با ولتاژ به‌صورت عکس تغییر کند.»
دی‌سولفید مولیبدن ماده‌ای با پتانسیل بالا برای ساخت ممریستور است. ممریستور ایده‌آل باید ساختاری متقارن داشته باشد، دی‌سولفید مولیبدن از این ویژگی برخوردار نیست.
برای رسیدن به حالت تقارن، محققان از دی‌سولفید مولیبدن توده‌ای استفاده کردند. آنها ساختار اتمی این ماده را دستکاری کرده تا فاز بلوری آن تغییر کند. دی‌سولفید مولیبدن توده‌ای، دارای دو فاز است که از آنها می‌توان به‌عنوان مقاومت رایج استفاده کرد، برای تولید ممریستور محققان دی‌سولفید مولیبدن را متورق کرده تا به ساختار لایه‌ای برسند. با این کار لایه‌های نانومقیاسی ایجاد شد که دارای فاز 1T است. این فاز دارای رابطه معکوس میان مقاومت و ولتاژ است که برای ساخت ممریستور ضروری است. این گروه در ادامه، این نانوورق‌ها را در دو طرف یک فویل نقره قرار دادند تا شکل ممریستور متقارن ایجاد شود.
هو می‌گوید: « این پروژه در ابتدای مسیر کاربرد قرار دارد. با استفاده از مواد جدید و تولید ممریستورهای بهتر می‌توان کارایی کامپیوترها را به‌صورت قابل توجهی افزایش داد.

منبع : http://semiengineering.com/powerperformance-bits-feb-9/

نظر شما
نظرسنجی

کتاب‌های‌ معرفی‌ شده در سایت را چگونه ارزیابی‌ می‌کنید؟